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integrierter_schaltkreis_ic

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   * Mit Wellenlängen von ca. **''436 nm''** (Hg-g-line) sind praktisch Strukturbreiten von **''3 µm''** erreichbar.   * Mit Wellenlängen von ca. **''436 nm''** (Hg-g-line) sind praktisch Strukturbreiten von **''3 µm''** erreichbar.
   * Licht mit der Wellenlängen von **''436 nm''** kann, mit herkömmlicher fotooptischer Technik, genutzt werden.   * Licht mit der Wellenlängen von **''436 nm''** kann, mit herkömmlicher fotooptischer Technik, genutzt werden.
-  * So kann man ca. 1000-4000 Transistoren pro mm², auf eine Silizium-Oberfläche herstellen.+  * So kann man ca. ''1000-4000'' Transistoren pro mm², auf eine Silizium-Oberfläche herstellen.
  
  
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